Contact : Bruno Gilles
L'Epitaxie par Jets Moléculaires (Molecular Beam Epitaxy ou MBE en anglais) est une technique de dépôt sous Ultra-Haut-Vide (UHV) qui permet de contrôler l'épaisseur déposée à l'échelle de la fraction de plan atomique. La croissance est dite « épitaxiale » car elle est pratiquée sur un substrat monocristallin présentant une surface orientée selon une direction cristallographique choisie, ce qui privilégie une direction cristallographique particulière du dépôt. Différents outils d'analyses structurales et/ou chimiques in-situ permettent de contrôler la qualité des couches pendant le dépôt.
La plate-forme EJM de SIMAP se compose d'une chambre de dépôt équipée de deux canons à évaporation multi-creusets permettant une combinaison de huit matériaux différents. Deux matériaux peuvent être évaporés simultanément (alliages binaires) ou séquentiellement (multicouches périodiques). Un outil de Diffraction d'Electrons à Haute Energie en mode Réflexion (RHEED en anglais) permet de contrôler la qualité structurale du dépôt (texture, rugosité de surface). De plus, un appareil de mesure de courbure du substrat par multi-rayons lasers permet de mesurer la variation de contrainte in-situ (relaxations élastique et plastique).
La chambre de dépôt est connectée sous UHV à une chambre de préparation/ analyse équipée de spectroscopie d'électrons Auger et XPS pour le contrôle chimique, d'un outil de diffraction d'électrons à faible énergie (LEED en anglais) ainsi que de plusieurs canons à ions pour le décapage ionique des surfaces et d'un four à bombardement électronique spécialement développé dans notre laboratoire pour atteindre 2000 °C avec un contrôle par pyrométrie optique.
mise à jour le 5 novembre 2008