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Science et ingénierie des matériaux et des procédés

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Soutenance de Denis MONNIER

Mis à jour le 22 septembre 2010
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"Etude des dépôts par plasma ALD de diélectriques à forte permittivité diélectrique (dits « High-K) pour les capacités MIM"

Le 9 Avril 2010 à 14h Amphithéâtre Jean Besson, PHELMA Campus Thèse préparée dans le laboratoire SIMaP sous la direction conjointe de Mme Elisabeth Blanquet et M Fabien Volpi. Résumé
La miniaturisation des composants dans la micorélectronique touche maintenant les composants passifs comme les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal). Pour augmenter la densité de capacité des capacités MIM, les diélectriques conventionnels (SiO2, = 3.9 ) sont remplacés par des diélectriques à haute permittivité diélectrique dits « high-k » comme ZrO2. Sa permittivité est égale à 47 lorsqu'il se trouve sous la phase tétragonale. Le procédé de dépôt de ZrO2 est la méthode PEALD. Nous avons étudié le procédé de dépôt de ZrO2 avec les précurseurs TEMAZ et ZyALD. Les propriétés thermodynamiques du TEMAZ ont été analysées par spectrométrie de masse. L'influence des paramètres du procédé PEALD et de post-traitements sur les mécanismes de formation de la zircone tétragonale a été étudiée. De nombreuses méthodes de caractérisation (XRD, Raman, TEM, SIMS, XPS, caractérisations électriques...) ont été employées afin d'établir un optimum propriétés des films de ZrO2 / performance du procédé de dépôt.
Membres du Jury M. Bernard Chenevier, Président M. Christophe Muller, Rapporteur M. Michel Andrieux, Rapporteur Mme. Elisabeth Blanquet, Directrice de thèse M. Fabien Volpi, Co-encadrant M. Stéphane Daniele, Examinateur M. Philippe Barboux, Examinateur M. Mickael Gros-Jean, Examinateur Mme. Ioana Nuta, Invité
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mise à jour le 22 septembre 2010

Univ. Grenoble Alpes