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Annuaire SIMaP

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BLANQUET-NICOLAS Elisabeth

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Directrice de Recherches CNRS

Coordonnées

SIMaP - Phelma 1130 rue de la piscine BP 75 38402 Saint Martin D' Hères

  • Tél. : 0476826649
  • Fax : 0476826677

Site internet : https://www.researchgate.net/profile/Elisabeth_Blanquet

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Développements de procédés CVD (Chemical Vapor Deposition) et ALD (Atomic Layer Deposition)  de films minces de nitrures, carbures, oxydes  pour l'énergie.

Dernières publications:
The initial stages of ZnO atomic layer deposition on atomically flat In0.53Ga0.47As substrates
E.V. Skopin, L.Rapenne, H. Roussel, J.-L. Deschanvres, E. Blanquet, G.Ciatto, D. Fong, M.-I. Richard, H. Renevier
Nanoscale, 2018, 10, 11585 - 11596

A comparative study of graphene growth on SiC by hydrogen-CVD or Si sublimation through thermodynamic simulations
R. Dagher,  E. Blanquet, C. Chatillon, T. Journot, M.  Portail, L. Nguyen, Y. Cordier, A. Michon
CrystEngComm, 2018, 20, 3702-3710

Superconducting properties of NbTiN thin films deposited by high-temperature chemical vapor deposition
D. Hazra,  N. Tsavdaris, A. Mukhtarova, M. Jacquemin,  F. Blanchet, R. Albert, S. Jebari, A. Grimm, A. Konar, E. Blanquet, F. Mercier, C. Chapelier, M. Hofheinz
Physica Review B, 2018, 97, 144518 -5.

Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition
L. Tian, S. Ponton, M. Benz, A. Crisci, R. Reboud, G. Giusti, F. Volpi, L. Rapenne, C. Vallée, M. Pons, A. Mantoux, C. Jiménez, E. Blanquet
Surface & Coatings Technology 347, 2018,  181–190

Reactive chemical vapor deposition of heteroepitaxial Ti1-xAlxN films
F. Mercier, H. Shimoda,  S. Lay, M. Pons, E. Blanquet
CrystEngComm, 2018, 20, 1711 – 1715

A Chemical Vapor deposition Route to Epitaxial Superconducting NbTiN Thin films
N. Tsavdaris, D. Harza, S. Coindeau, G. Renou, F. Robaud, E. Sarigiannidou, M. Jacquemin, R. Reboud, M. Hofheinz, E. Blanquet, F. Mercier
Chemistry of  Materials, 2017, 29 (14), 5824–5830.

 Study of surface reaction during selective epitaxy growth of silicon by thermodynamic analysis and density functional theory calculation
T. R. Mayangsari, L. L. Yusup, J.-M. Park, E. Blanquet, Mi. Pons, J. Jung, W.-J. Lee
J. Cryst. Growth, 2017, 468, 278-282.

Oxidation kinetics of Si and SiGe by dry rapid thermal oxidation, in situ steam generation oxidation and dry furnace oxidation.
F. Roze, O. Gourhant, E. Blanquet, F. Bertin, M. Juhel, F. Abbate, C. Pribat, R. Duru
J. Appl. Physics, 2017, 121, 245308, 1-10.

Activités / CV

Responsabilités :
Directrice Adjointe du pôle PEM (Physique, Ingénièrie, Matériaux) de la COMUE UGA
Directrice Adjointe du  laboratoire SIMaP
Directrice du GDR RAFALD (Réseau des Acteurs Français de l'ALD)

Responsable scientifique de l’axe IRP Interdisciplinary Research Project “Ingéniérie des films minces” du labex CEMAM, Centre d’Excellence sur les Matériaux Architecturés Multifonctionnels (2010- )

Membre des comités CES et CEP ANR MATEPRO, AAP Défi 3 (2013-2016)
Responsable scientifique de l’axe “Matériaux pour l’énergie” de la Communauté Académique de Recherche (ARC) ENERGIES Rhône-Alpes, ARC4 (2012-2017).

Membre nommé du CNU 33e section (2011-2015)


Emplois et activités successifs:

1991-93 : CDD ingénieur au NASA Lewis Research Center Cleveland, Ohio - USA 
1993 :       Recrutement CNRS Chargée de Recherche CR2 ; Dept Sciences Chimiques, LTPCM

Formation:

1987 :      Diplôme d’ingénieur de l’Ecole Nationale Supérieure d’Electrochimie et Electrométallurgie de Grenoble (ENSEEG/INPG), Option Matériaux
1987 :       DEA de l’ENSEEG, Option Métallurgie
1990 :       Doctorat de l’Institut National Polytechnique de Grenoble
 “Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique

Spécialité Sciences des Matériaux et Métallurgie
2000 :       Habilitation à diriger des recherches, INPG
Développement de couches minces par dépôt chimique à partir d’une phase gazeuse : expériences et simulations de procédés



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Rédigé par Elisabeth Blanquet-Nicolas

mise à jour le 29 août 2018

Communauté Université Grenoble Alpes