Fonction
Cette installation est exploitée pour les sujets d'étude suivant :
- Cristallogenèse du carbure de silicium (SiC) en phase gazeuse, par le procédé de sublimation de poudre, appelé PVT (Physical Vapour Transport).
- Cristallogenèse du carbure de silicium en phase liquide, par le procédé de tirage en solution, appelé TSSG (Top seeded solution growth)
- Etude des reconstructions d’interface SiC/liquide à haute température
- Analyse thermique différentielle pour la mesure de transitions à très haute température.
Description technique
Enceinte quartz double paroi refroidie à l’eau,
Vide primaire/atmosphérique, travail sous différentes atmosphères (Ar, H2, N2, CH4 …)
Creusets graphite : Φmax =50 mm (2 pouces)
Automate de contrôle et de régulation du procédé, enregistrement des données
Chauffage par induction : générateur CELE 50 kW
Pression de travail de 0.1 à 900 mbar
Température de 1000 à 3000°C
Vide primaire/atmosphérique, travail sous différentes atmosphères (Ar, H2, N2, CH4 …)
Creusets graphite : Φmax =50 mm (2 pouces)
Automate de contrôle et de régulation du procédé, enregistrement des données
Chauffage par induction : générateur CELE 50 kW
Pression de travail de 0.1 à 900 mbar
Température de 1000 à 3000°C
Informations fiche
Date d'actualisation : Novembre 2019
Localisation et contact : SIMAP/EPM, Grenoble
Responsable scientifique : Didier Chaussende
didier.chaussende@simap.grenoble-inp.fr
tél : 04.76.82.52.58
Mobilité : non
Localisation et contact : SIMAP/EPM, Grenoble
Responsable scientifique : Didier Chaussende
didier.chaussende@simap.grenoble-inp.fr
tél : 04.76.82.52.58
Mobilité : non