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Annuaire SIMaP

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BLANQUET-NICOLAS Elisabeth

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Directrice de Recherches CNRS

Coordonnées

SIMaP - Phelma 1130 rue de la piscine BP 75 38402 Saint Martin D' Hères

  • Tél. : 0476826649
  • Fax : 0476826677

Site internet : https://www.researchgate.net/profile/Elisabeth_Blanquet

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Développements de procédés CVD (Chemical Vapor Deposition) et ALD (Atomic Layer Deposition)  de films minces de nitrures, carbures, oxydes  pour l'énergie.

Dernières publications:

A Chemical Vapor deposition Route to Epitaxial Superconducting NbTiN Thin films
N. Tsavdaris, D. Harza, S. Coindeau, G. Renou, F. Robaud, E. Sarigiannidou, M. Jacquemin, R. Reboud, M. Hofheinz, E. Blanquet, F. Mercier
Chemistry of  Materials, 2017, 29 (14), 5824–5830.

 Study of surface reaction during selective epitaxy growth of silicon by thermodynamic analysis and density functional theory calculation
T. R. Mayangsari, L. L. Yusup, J.-M. Park, E. Blanquet, Mi. Pons, J. Jung, W.-J. Lee
J. Cryst. Growth, 2017, 468, 278-282.

Oxidation kinetics of Si and SiGe by dry rapid thermal oxidation, in situ steam generation oxidation and dry furnace oxidation.
F. Roze, O. Gourhant, E. Blanquet, F. Bertin, M. Juhel, F. Abbate, C. Pribat, R. Duru
J. Appl.
Physics, 2017, 121, 245308, 1-10.

Superconducting properties of very high quality NbN thin films grown by high temperature chemical vapor deposition
D. Hazra, N. Tsavdaris, S. Jeabar, A. Rimm, F. Blanchet, F. Mercier, E. Blanquet, C. Chapelier, M. Hofheinz
Superconductor Science and Technology, 2016, 29, 105011-5p.

Evolution of Crystal Structure During the Initial Stages of ZnO Atomic Layer Deposition
R.  Boichot, L.  Tian, M. I. Richard, A.  Crisci, A. Chaker, V. Cantelli, S.  Coindeau, S.  Lay, T. Ouled, C. Guichet, M-H  Chu, N.  Aubert, G. Ciatto, E. Blanquet, O.  Thomas, J. L.  Deschanvres, D.  Fong, H. Renevier
Chemistry of Materials, 2016, 28 (2), 592–600.

A first step toward bridging silicon carbide crystal properties and physical-chemistry of crystal growth
K. Ariyawong, C. Chatillon, E. Blanquet, J.-M. Dedulle, D. Chaussende
CrystEngComm, 2016, 18, 2119-2124

Growth of boron nitride films on w-AlN (0001), 4° off-cut 4H-SiC(0001), W(110) and Cr(110) substrates by Chemical Vapor Deposition
N. Coudurier, M. Chubarov, R. Boichot, F. Mercier, E. Blanquet, R. Reboud, S. Lay, A. Crisci, S. Coindeau, T. Encinas, M. Pons
Crys. Res.
Technol., 1-8, 2016

Activités / CV

Formation:

1987 :      Diplôme d’ingénieur de l’Ecole Nationale Supérieure d’Electrochimie et Electrométallurgie de Grenoble (ENSEEG/INPG), Option Matériaux
1987 :       DEA de l’ENSEEG, Option Métallurgie
1990 :       Doctorat de l’Institut National Polytechnique de Grenoble
 “Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique

Spécialité Sciences des Matériaux et Métallurgie
2000 :       Habilitation à diriger des recherches, INPG
Développement de couches minces par dépôt chimique à partir d’une phase gazeuse : expériences et simulations de procédés

Emplois et activités successifs:
1991-93 : CDD ingénieur au NASA Lewis Research Center Cleveland, Ohio - USA 
1993 :       Recrutement CNRS Chargée de Recherche CR2 ; Dept Sciences Chimiques, LTPCM

Responsabilités :
Directrice Adjointe du pôle PEM (Physique, Ingénièrie, Matériaux) de la COMUE UGA
Directrice Adjointe du  laboratoire SIMaP
Directrice du GDR RAFALD (Réseau des Acteurs Français de l'ALD)
Membre des comités CES et CEP ANR MATEPRO, AAP Défi 3 (2013-2016)
Responsable scientifique de l’axe IRP Interdisciplinary Research Project “Ingéniérie des films minces” du labex CEMAM, Centre d’Excellence sur les Matériaux Architecturés Multifonctionnels (2010- )
Responsable scientifique de l’axe “Matériaux pour l’énergie” de la Communauté Académique de Recherche (ARC) ENERGIES Rhône-Alpes, ARC4 (2012-2017).

Membre nommé du CNU 33e section (2011-2015)
 

 


 

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Rédigé par Elisabeth Blanquet-Nicolas

mise à jour le 19 janvier 2018

Communauté Université Grenoble Alpes